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前照式cmos和背照式cmos的区别

优点:拥有更高的宽容度(可以被理解为高光部分不容易溢出、而低光部分不容易欠曝)拥有更快的数据吞吐率(通常都支持高速连拍、甚至全高清视频拍摄)拥有更佳的低光照成像能力(高感光度下的成像表现大大优于传统产清春毁品)在传感器上的微透镜性能更为提升。

缺点:不是说配备了了它的数码相机拍照就很牛。因为决定数码照片的画质除了核心部件传感器外,还有镜头以及处理算法等因素。

传统CMOS都是前照式结构,如上图左边图片所示,其组成结构由上到下依次是:片上透镜、滤光片、金属排线(电路层)、光电二极管以及基板。

背照式结构的CMOS最早出现于2008年,其基本组成与传统CMOS一样,只是排布顺序不一样。森戚如上图右边图片所示,由上到下依次是:片上透镜、滤光片、光电二极管以及基板、金属排线(电路层)。

前照式cmos和背照式cmos的区别

前照式与背照式CMOS的区别很好理解,一种是电路层位于感光二极管前面,一种是电路层位于感光二极管后面。如上图所示,前照式CMOS的金属电路挡在受光面前面,这样会损失很多光线,真正能够被感光二极管接收和利用的光线只剩70%甚至更少。

很显然,背照式CMOS极大提高了光线利用率,可答备以提高传感器灵敏度,最明显的改善就是低照度环境下成像质量更高。