Simone
1 091136428.9 具沟渠源极线的快闪记忆体及其制作方法2 081134056.8 脊形波导式半导体激光器件及其制作方法3 032143569.3 薄膜,平面型声音变换器以及平面型薄膜4 000817712.0 制备Ⅲ族氮化物半导闷厅体的方法及Ⅲ族氮化物半导体器件5 070817714.7 制备III族氮化物半导体的方法及III族氮化物半导体器件6 062106804.6 氟酸的供给方法7 012124909.1 蚀刻的方法8 081129598.8 一种浅沟道隔离结构的制造方法9 071129593.7 双重金属镶嵌结构的制造方法10 061129621.6 制作高温超导滤波器接触电极的方法11 002106404.0 包括聚酰亚胺层的叠层组件的蚀刻方法12 081803460.8 用于半导体蚀刻室的内衬13 031136692.3 蚀刻反应室动态微尘污染状态检测方法14 032146360.3 半导体装置的制造方法15 081136793.8 具有分离式浮栅的闪存的制造方法及其结构16 042156894.4 掩膜法制作高温超导滤波器接触电极的方法17 020818082.2 消除隔离沟槽拐角晶体管器件的间隔层工艺18 041119303.4 具有载体的转印式铜箔制造方法19 091141399.9 具有载体的转印背胶式铜箔制造方法20 072147067.7 具有贯通孔的构造体、其制造方法、及液体排出头21 032147153.3 具有贯通孔的结构体、其制造方法及液体排出头22 021137740.2 同平面切换模式液晶显示单元的制造方法23 032145483.3 无电弧高分子PTC热敏电阻器及其制造方法24 062132108.6 用于使小片与笔体附接的微机械加工的硅互锁结构25 012152161.1 复印／传真／打印机铝型材配件化学纹理蚀刻的方法26 091131388.9 减小图案间隙或开口尺寸的方法27 062105801.6 磁电阻传感器及其制造方法28 041137817.4 一种浅沟绝缘制程方法29 062145358.6 消除双层嵌入结构的铜侵蚀的方法30 061806859.6 离子传导陶瓷膜及表面处理31 041806877.4 利用高温去光阻以形成高品质的多重厚度氧化物层的方法32 092159976.9 核微孔防伪标识的制作方法33 001134774.0 减少微粒产生的方法34 042118470.4 薄膜整体声共振器的制造35 041807088.4 用于生产光栅结构、光学元件、瞬逝场传感器板、微滴定度板及用于通讯技术的光...36 001806969.X 减少去除光阻所致缺点形成高品质多厚度氧谈罩化物层的方法37 062152729.6 荫罩板用铁-镍系和铁-镍-钴系合金条38 072159350.7 低回损蚀刻衍射光栅波分复用器39 002123171.0 双层光刻过程40 041130382.4 一种氧掺杂硅碳化合物蚀刻停止层41 021130383.2 低阻值晶体管元件的制作方法42 002150242.0 晶片及评价其载体浓度的方法43 071130310.7 一种双位元快速存储器结构及其制造方法44 002141153.0 静态随机存储器的制造方法45 001138534.0 一种嵌入式存储器的制作方法46 021136183.2 薄膜晶体管阵列基板的制造方法及其结构47 011806324.1 非挥发性内存装置用的双重间隔器方法48 010816129.1 燃料电池和电源片技术49 071129982.7 金属基体表面阳极处理方法50 062140130.6 叠合标记及其应用方法51 031140032.3 阶梯式开口的制造方法52 012160227.1 蚀刻液53 052148236.5 具有埋入型导电层的半导体器件及其制造方法54 062155744.6 光致抗蚀剂残渣除去液组合物55 031142993.3 形成具有高深宽比的沟槽的蚀刻方法56 092141154.9 金氧半导体晶体管的含罩闹制造方法57 001142964.X 局部形成硅化金属层的方法58 062119925.6 半导体器件及其制造方法59 072154746.7 平面单元存储元件的硅化物膜制造方法60 060818452.6 光电子组件中的对准方法61 010818382.1 具有动态气体分布控制的等离子体加工系统62 060818435.6 用于多种处理的立式配置腔室63 050818573.5 自对准的混合工艺和元件64 010818639.1 闪存技术和LOCOS/STI隔离的氮化隧道氧化物的氮化障壁65 043100433.4 光电集成加速度地震检波器66 042155731.4 用于制造半导体功率器件的方法67 061808708.6 用于无机表面的蚀刻糊68 021808503.2 改善蚀刻多晶硅的均匀性和减少其蚀刻速率变化的方法69 081808741.8 具有低介电膜的半导体器件及其制造方法70 051143334.5 喷射头结构及其制造方法71 092155295.9 制作硅晶液晶显示背板的方法72 002155515.X 微型显示器像素单元及其制作方法73 022128188.2 半导体制造装置及半导体元件制造方法74 092155250.9 金属内连线的制作方法75 021143795.2 制作非挥发性存储元件的方法76 072144024.7 在低K互连上集成电线焊接的熔丝结构及其制造方法77 031143769.3 具有阶梯式高密度互连结构的印刷电路板的制造方法78 081808870.8 光器件79 042157530.4 制造硅单晶所用的晶种及制造硅单晶的方法80 002157023.X 电气双层电容器及其制造方法81 081144814.8 去除焊垫窗口蚀刻后残留聚合物的方法82 002158978.X 基底铜层的磨光方法83 031144775.3 浅沟渠隔离的制造方法84 001144732.X 内连线的形成方法85 031143416.3 氮化硅内存的制造方法86 062158482.6 晶体管形成方法87 072155900.7 制造闪存单元的方法88 042158452.4 掩膜只读存储器的制造方法89 071144661.7 功率金属氧化物半导体场效晶体管装置及其制造方法90 001809636.0 用于高锰酸盐蚀刻液电化学再生的阴极91 041809469.4 曝光控制光掩模及其形成方法92 051809396.5 调整等离子体加工系统中电极厚度的方法93 091809427.9 用于在碳化硅中形成通孔的方法以及所获得的器件和电路94 081809470.8 用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半导体的方法以及Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件95 011809479.1 Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件及其制造方法96 071809509.7 处理装置及其维护方法、处理装置部件的装配机构及其装配方法、锁定机构及其锁...97 011809336.1 制造电极的蚀刻方法98 061145141.6 在溅镀蚀刻工艺中监控蚀刻腔体内离子浓度的方法及装置99 072143830.7 检测图案缺陷过程的方法100 022159828.2 半导体器件内形成铜引线的方法101 051145049.5 非挥发性存储器结构及其制造方法102 091145050.9 一种高耦合率快闪存储器及其制造方法103 071810045.7 锌/空气电池104 073112829.7 触摸屏的贴合方法改良105 092101821.9 形成微细尺寸结构的方法106 052101627.5 芯片及其制造方法107 002100957.0 利用非等向性湿蚀刻法来进行平坦化的方法108 002132204.X 金属镶嵌制程的去除光阻的方法109 092101544.9 复晶矽/复晶矽电容的制造方法110 072101545.7 复晶矽/复晶矽电容的制造方法111 022101704.2 浅沟槽隔离物的制造方法112 082101553.8 高密度平坦单元型的罩幕式只读存储器制造方法113 052142498.5 掩模及其制造方法、场致发光装置及其制造方法以及电子机器114 073101099.7 金属箔基叠层产品及其制造方法115 022141023.2 在低介电常数材料层中形成开口的方法116 082101715.8 具螺旋布置金属电极的氮化物发光二极管及其制造方法117 062154299.6 电磁波屏蔽用片118 030818767.3 压力控制方法119 020805123.2 在栅极蚀刻处理后用湿式化学方法去除氧氮化硅材料120 090818330.9 半导体器件,用于在半导体上制造电路的金属叠层板和制造电路的方法121 001807636.X 具有窗口盖的、无引线的半导体产品封装装置及其封装方法122 062102588.6 以晶圆片制造电子芯片元件的包装方法123 003106907.X 一种应变计基材及其制造方法124 042102365.4 晶片保护装置125 002144045.X 自生长疏水性纳米分子有机防扩散膜及其制备方法126 012155576.1 提高起始电压稳定性的金属氧化物半导体的制作方法127 082155290.8 双镶嵌金属内连线结构及其制作方法128 032114783.3 多层堆叠线路电路板及其制造方法129 082102489.8 内嵌有膜状电阻元件的层叠式多层电路板制造方法130 021810235.2 光刻胶去除剂混合物131 090819168.9 除去剩余光致抗蚀剂和残留侧壁钝化物的原位后蚀刻方法132 012103154.1 化学机械研磨的监控测量方法133 012102554.1 喷墨印表头的软性电路板的结构与制作方法134 032127582.3 液体喷射器件的基底及其成形方法135 003119706.X 亚光立体图案玻璃的生产方法136 013103150.1 利用间隔体技术的纳米尺寸压印模137 053103470.5 埋置绝缘体型半导体碳化硅衬底的制作方法和制作装置138 012103140.1 非挥发性内存的结构及其制造方法139 072103165.7 选择性局部自行对准硅化物的制作方法140 091811128.9 平行且选择性地分散微滴的高效系统141 071810918.7 形成方法以及包含增强表面面积导电层的集成电路结构142 002103423.0 有机底部抗反射涂布层的蚀刻方法143 022103498.2 微探针制造方法144 042103189.4 在同一蚀刻室进行介层窗蚀刻的方法145 002156454.X 制作金氧半导体晶体管的方法146 002103521.0 晶片级封装的结构及其制作方法147 052103085.5 可避免氟化半导体元件的金属接点的方法148 042103192.4 平顶金凸块的制程方法149 012103509.1 形成隔离装置的方法150 082104615.8 促进快闪式存储器性能的方法151 002103499.0 堆栈闸极快闪存储装置的制造方法152 042103516.4 分离闸极快闪存储器的制造方法153 092152753.9 用于光学复用器/解复用器的薄膜滤波器154 042140016.4 半导体元件微细图形的形成方法155 092105013.9 一种去除停止层的方法156 062140015.6 半导体元件的短沟道晶体管的制造方法157 003102971.X 消除浅沟槽隔离中的边沟的方法158 002105018.X 具掺杂的铜内联结构的制造方法159 061811690.6 基于近红外分光计控制金属层蚀刻过程及再生用于金属层蚀刻过程的腐蚀剂的方法160 081811722.8 具有电镀电阻器的印刷电路板的制造方法161 052147250.5 半导体装置的制造方法162 042126486.4 缩小图案间隙且确保该间隙的方法163 052129752.5 一种后浅槽隔离工艺方法164 092105321.9 结合自我对准接触制程以及自我对准硅化物制程的方法165 043103798.4 沟道蚀刻薄膜晶体管166 021812504.2 形成平版印刷用填隙材料的组合物167 042161111.4 微电子机械系统结构及其制造方法168 032106537.3 强化覆层与金属基板间结合耐久性的电化学触媒电极169 002158423.0 硅部件制造方法及硅部件和使用该硅部件的光学部件170 032106652.3 微型显示器的间隙柱组成方法171 092105271.9 去除感光性树脂与残余聚合物的方法172 012105194.1 快闪记忆体及其制造方法173 091806205.9 微型反应器174 031812560.3 剥除时间反馈控制以减少剥除后晶体管栅极临界尺寸变化175 033103728.3 喷墨打印头的制造方法176 002106864.X 增进介电抗反射涂布层的光阻蚀刻选择比的方法177 013104380.1 在接触孔中形成的配线分层结构，配线分层结构的制作方法，以及具有该配线分层...178 013101625.1 制造半导体器件的方法179 032159626.3 在快闪存储器元件中形成自行对准掩埋N+型式区域的方法180 032132281.3 在形成有导电结构的半导体基底表面形成双镶嵌结构的方法181 021809456.2 具有可控制导电性的半导体材料及器件的制造182 013128601.1 掩膜元件，用此元件制备掩膜的方法和用此掩膜制备感光树脂印版的方法183 022107115.2 沉积绝缘层于沟槽中的装置184 052107170.5 印刷电路板内建电阻的制造方法185 011813256.1 利用扫描探针显微镜针尖的方法及其产品或产品的制作方法186 052110120.5 金属蚀刻画的制造方法187 033120500.3 光学开关元件及其制造方法188 002107397.X 一种晶圆型态封装及其制作方法189 053107647.5 含低介电常数绝缘膜的半导体装置的制造方法190 033120531.3 半导体器件及其制造方法191 002131853.0 ZnMgSSe系正-本-负光电二极管以及ZnMgSSe系雪崩二极管192 002151343.0 脊形波导型半导体激光装置193 001811234.X 在基片上形成阻挡结构的方法及其形成的物体194 032108014.3 使用曝光液体制造微型钻头的方法和装置195 002107870.X 利用微影蚀刻制程制作喷墨式打印头的喷孔片的方法196 003115123.X 微光学眼镜片设计与制造工艺及其镜片197 043122691.4 显示装置用布线基板及其制造方法198 092107795.9 流体喷射装置制造方法199 053108247.5 光致抗蚀剂残渣除去液组合物200 002108105.0 改进微距一致性的方法201 003102525.0 细微图案形成方法202 083108318.8 形成抗蚀图的方法203 062155288.6 制作多晶硅薄膜的方法204 062143321.6 减少反应室杂质含量的方法205 092107943.9 减少废气排放量的蚀刻方法206 022147324.2 电镀金属退火的方法207 082107868.8 深次微米MOS装置及其制造方法208 073107534.7 使用双波纹技术制造半导体器件的方法209 092108011.9 制作封装输出输入端点的方法以及其结构210 033123302.3 音叉型压电振荡片及其制造方法，压电器件211 053110189.5 制作多层电路板的方法
