Simone
一、填空题
1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。
2、当PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。
3、在N型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。
二．判断题1、由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。（×）
2、在N型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P型半导体。（√）
3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。（×）
4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。（×）
5、PN结在无光照无外加电压时，结电流为零。（√）
6、温度升高时，PN结的反向饱和电流将减小。（×）
7、PN结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（×）
三．简答题
1、PN结的伏安特性有何特点？
答：根据统计物理理论分析，PN结的伏安特性可用式表示。
式中，ID为流过PN结的电流；Is为PN结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I的单位一致；V综上可知，势垒电容和扩散电容是同时存在的。a. 10μA b. 15μA c. 20μA d. 40μA当9.22.35.（①e12.3.3.2第三种情况属于饱和截止失真同时出现，应该减小输入信
